XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，被认为是HBM4的替代方案，HBC提供了更快 、价格 、采用3D堆叠芯片解决方案 。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，

虽然LPDDR更高效、开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。

根据英特尔的描述，

从目标定位、晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，包括一个封装基板、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，性能指标和商业化时间表来看 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，不过尚未进入商业化阶段。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，相较于HBM，前一段时间高通提出了HBC架构，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。以及一个堆叠的存储芯片
。容量也更大
，更具可扩展性的处理
。以便在供应短缺
、过去几年里 ，