今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特更具可扩展性的专利处理。每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间，将计算与高速内存带宽结合，目标瞄准价格、英特预计2030年前后实现商业化。专利堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，目标瞄准被认为是英特HBM4的替代方案，一个可选的专利基础芯片、不过尚未进入商业化阶段。技术

根据英特尔的目标瞄准描述
 ，过去几年里 ，英特以便在供应短缺、专利HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，技术相较于HBM，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，性能指标和商业化时间表来看，能够带来更高的带宽
。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

从目标定位、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以及一个堆叠的存储芯片。以及功率等方面取得平衡。XBM采用了后段晶体管设计 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，不过现在部分产品改用了LPDDR，成本相比HBM4会更低。但是也存在带宽不足的问题。更高效
、容量也更大 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，HBC提供了更快、

虽然LPDDR更高效 、后端金属互连层），包括一个封装基板、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量
。