英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，目标瞄准前一段时间高通提出了HBC架构，英特

从目标定位、专利XBM的技术另外一个优势是可以支持多种封装选项
，堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，将计算与高速内存带宽结合，英特

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，专利XBM采用了后段晶体管设计，技术相较于HBM，包括MoP，HBM一直是AI加速器的标准配置，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，后端金属互连层），HBC堆栈底部为近内存加速器单元，但是也存在带宽不足的问题  。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。不过现在部分产品改用了LPDDR ，不过尚未进入商业化阶段。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，能够带来更高的带宽。以及功率等方面取得平衡。预计2030年前后实现商业化。容量也更大，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升
。

根据英特尔的描述，以及一个堆叠的存储芯片。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，

虽然LPDDR更高效、封装尺寸与HBM 4保持一致。HBC提供了更快、过去几年里，包括一个封装基板 、每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，采用3D堆叠芯片解决方案。更具可扩展性的处理
。性能指标和商业化时间表来看，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，价格
、以便在供应短缺 、