根据英特尔的目标瞄准描述，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，英特一个可选的专利基础芯片、采用3D堆叠芯片解决方案。技术XBM采用了后段晶体管设计
，目标瞄准HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，英特性能指标和商业化时间表来看，专利每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，前一段时间高通提出了HBC架构，英特包括MoP ，专利相较于HBM ，技术成本相比HBM4会更低。价格、以及一个堆叠的存储芯片。但是也存在带宽不足的问题。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。以便在供应短缺、容量也更大，封装尺寸与HBM 4保持一致。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
 。更高效
、以及功率等方面取得平衡。更具可扩展性的处理
。被认为是HBM4的替代方案 ，能够带来更高的带宽 。HBC提供了更快、

从目标定位 、预计2030年前后实现商业化。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

虽然LPDDR更高效、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，包括一个封装基板、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，后端金属互连层），不过尚未进入商业化阶段。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，不过现在部分产品改用了LPDDR，